從而使分析結果更精確，因此所采用的半導體器

件模型要比前面所介紹的復雜得多。

   通常，建立器件模型的方法有兩種，一種是建立在器件物理原理基礎上的模型，另一種是根據(jù)器件外特性(如輸人、輸出特性)構造的模型。哈默納科CAD建模諧波減速器SHG-65-160-2UH在電子電路CAD中，半導體器件大都以*種方法建模，它們必須能夠反映復雜的特性，因而模型參數(shù)較多。例如，晶體管和場效應管的模型參數(shù)就有40個之多，即使比較簡化的EM2模型，也有十幾個參數(shù)。

   目前國際各種電子電路計算機輔助設計工具軟件，幾乎都是以美國加利福尼亞大學柏克萊分校所開發(fā)的SPICE 程序為基礎實現(xiàn)的。各商用軟件都作了許多實用化工作，如圖形化輸人、提供豐富的器件模型庫參數(shù)等。

一、高壓容器在工業(yè)生產中的應用

   1833年法國巴黎大學教授Lame和Clapeyron得出哈默納科CAD建模諧波減速器SHG-65-160-2UH了厚壁圓筒平衡公式和應力分布公式，提出了在圓筒內施加壓力時其內部的應力分布，從而為高壓容器的發(fā)展奠定了理論基礎。

   1888年法國學者Lechatlier首先提出利用壓力這個因素來促進氫氮的反應及提高氨產量的著名原理及設想。繼而德國化學家Haber等繼續(xù)進行了這方面的研究，并從設備上解決了問題